【重要通知】2021届毕业生必看。报道：2015年度国家科学技术奖的评选结果于1月8日揭晓。其中，由南昌大学江风益教授等完成的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”获得国家技术发明奖中唯一一等奖，这也是江西自主创新成果首次获得国家技术发明奖一等奖。

　　业内人士分析，LED照明具有重大节能减排价值。而硅衬底技术是我国拥有自主知识产权的技术路线，在成本持续下降的背景下，硅衬底技术如若能获得资本大力追捧，LED产业格局有望被重塑。

　　据悉，LED(发光二极管)是一种节能环保的冷光源。它发光效率高、寿命长、体积小、可靠性高、响应速度快和应用范围广。该项目创造了一条新的LED照明技术路线，项目具有完整自主知识产权，获授权发明专利68项，将有力提升我国led产业在国际上的地位。

　　资料显示，LED芯片衬底主要有三条技术路线：碳化硅衬底、蓝宝石衬底、硅衬底。碳化硅衬底成本高昂，蓝宝石衬底则存在晶圆散热差、晶体垂直生长困难难以做到大尺寸、无法制作垂直结构器件等不足；更为重要的是，上述两条技术路线均被美国、日本垄断。

　　专家认为，用硅衬底GaN基蓝光LED制造技术，相比蓝宝石和碳化硅衬底，价格更为便宜，在高档光源应用中也具有明显的性能优势和性价优势，也有利于提升LED芯片的产出效率，为行业发展起到助推作用。